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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTHS5404T1
NTHS5404T1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTHS5404T1 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTHS5404T1
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTHS5404T1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SMD, Flat Lead
Scheda dati
NTHS5404.pdf
In magazzino: 229830

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTHS5404T1
Specifiche tecniche onsemi - NTHS5404T1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTHS5404T1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ChipFET™  
Serie -  
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Ta)  
Numero di prodotto di base NTHS54  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTHS5404T1

Proprietà del prodotto NTHS5404T1 NTHS5441T1 NTHS2101PT1G NTHS5443T1
Modello di prodotti NTHS5404T1 NTHS5441T1 NTHS2101PT1G NTHS5443T1
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 8 V 20 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Pacchetto Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Vgs (Max) ±12V - ±8V ±12V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Ta) 3.9A (Ta) 5.4A (Tj) 3.6A (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V - 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V 22 nC @ 4.5 V 30 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V
Contenitore dispositivo fornitore ChipFET™ ChipFET™ ChipFET™ ChipFET™
Numero di prodotto di base NTHS54 NTHS54 NTHS21 NTHS54

NTHS5404T1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTHS5404T1 PDF e la documentazione onsemi per NTHS5404T1 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 27/Jun/2007.pdf
Schede tecniche
NTHS5404.pdf
PCN Design/Specifica
NTH(S,D)xx Copper Wire 31/Jan/2008.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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