Specifiche
Specifiche tecnologiche NTHD4N02FT1G
Specifiche tecniche onsemi - NTHD4N02FT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTHD4N02FT1G
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
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| fabbricante |
onsemi |
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| Vgs (th) (max) a Id |
1.2V @ 250µA |
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| Vgs (Max) |
±12V |
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| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Contenitore dispositivo fornitore |
ChipFET™ |
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| Serie |
- |
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| Rds On (max) a Id, Vgs |
80mOhm @ 2.9A, 4.5V |
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| Dissipazione di potenza (max) |
910mW (Tj) |
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| Contenitore / involucro |
8-SMD, Flat Lead |
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| Pacchetto |
Tape & Reel (TR) |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
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| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Surface Mount |
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| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
300 pF @ 10 V |
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| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
4 nC @ 4.5 V |
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| Tipo FET |
N-Channel |
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| Caratteristica FET |
Schottky Diode (Isolated) |
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| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) |
2.5V, 4.5V |
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| Tensione drain-source (Vdss) |
20 V |
|
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
2.9A (Tj) |
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| Numero di prodotto di base |
NTHD4N |
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Metodo di spedizione
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
- La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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