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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNTHC5513T1G
NTHC5513T1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTHC5513T1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTHC5513T1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTHC5513T1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SMD, Flat Lead
Scheda dati
NTHC5513.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 63990

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTHC5513T1G
Specifiche tecniche onsemi - NTHC5513T1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTHC5513T1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ChipFET™  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 2.9A, 4.5V  
Potenza - Max 1.1W  
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.9A, 2.2A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base NTHC5513  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTHC5513T1G

Proprietà del prodotto NTHC5513T1G NTHD2102PT1G NTHD2102PT1 NTHD3100CT1G
Modello di prodotti NTHC5513T1G NTHD2102PT1G NTHD2102PT1 NTHD3100CT1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V 16nC @ 2.5V 16nC @ 2.5V 2.3nC @ 4.5V
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 2.9A, 4.5V 58mOhm @ 3.4A, 4.5V 58mOhm @ 3.4A, 4.5V 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Serie - - - -
Vgs (th) (max) a Id 1.2V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Potenza - Max 1.1W 1.1W 1.1W 1.1W
Configurazione N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.9A, 2.2A 3.4A 3.4A 2.9A, 3.2A
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V 715pF @ 6.4V 715pF @ 6.4V 165pF @ 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base NTHC5513 NTHD21 NTHD21 NTHD3100
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Contenitore dispositivo fornitore ChipFET™ ChipFET™ ChipFET™ ChipFET™
Tensione drain-source (Vdss) 20V 8V 8V 20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

NTHC5513T1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTHC5513T1G PDF e la documentazione onsemi per NTHC5513T1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Obsolete Notice 15/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
NTHC5513.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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