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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTGS3441BT1G
NTGS3441BT1G Image
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OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NTGS3441BT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTGS3441BT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTGS3441BT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
NTGS3441B.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4120

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NTGS3441BT1G
Specifiche tecniche onsemi - NTGS3441BT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTGS3441BT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta)  
Numero di prodotto di base NTGS34  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTGS3441BT1G

Proprietà del prodotto NTGS3441BT1G NTGS3443T1 NTGS3136PT1G NTGD4169FT1G
Modello di prodotti NTGS3441BT1G NTGS3443T1 NTGS3136PT1G NTGD4169FT1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 10 V 565 pF @ 5 V 1901 pF @ 10 V 295 pF @ 15 V
Vgs (Max) ±8V ±12V ±8V ±12V
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 900mV @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta) 500mW (Ta) 700mW (Ta) 900mW (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 30 V
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.2A (Ta) 2.2A (Ta) 3.7A (Ta) 2.6A (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V 29 nC @ 4.5 V 5.5 nC @ 4.5 V
Caratteristica FET - - - Schottky Diode (Isolated)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base NTGS34 NTGS34 NTGS3136 NTGD41
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 4.5V 65mOhm @ 4.4A, 4.5V 33mOhm @ 5.1A, 4.5V 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -25°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V

NTGS3441BT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTGS3441BT1G PDF e la documentazione onsemi per NTGS3441BT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 13/Apr/2009.pdf
Schede tecniche
NTGS3441B.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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