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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNTGD3148NT1G
NTGD3148NT1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NTGD3148NT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTGD3148NT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTGD3148NT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
NTGD3148N.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 149720

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche NTGD3148NT1G
Specifiche tecniche onsemi - NTGD3148NT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTGD3148NT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 3.5A, 4.5V  
Potenza - Max 900mW  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base NTGD3148  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTGD3148NT1G

Proprietà del prodotto NTGD3148NT1G NTGD3133PT1G NTGD3149CT1G NTGD4167CT1G
Modello di prodotti NTGD3148NT1G NTGD3133PT1G NTGD3149CT1G NTGD4167CT1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 4.5V 5.5nC @ 4.5V 5.5nC @ 4.5V 5.5nC @ 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 30V
Potenza - Max 900mW 560mW 900mW 900mW
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 3.5A, 4.5V 145mOhm @ 2.2A, 4.5V 60mOhm @ 3.5A, 4.5V 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base NTGD3148 NTGD31 NTGD31 NTGD4167
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A 1.6A 3.2A, 2.4A 2.6A, 1.9A
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V 400pF @ 10V 387pF @ 10V 295pF @ 15V
Serie - - - -
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.4V @ 250µA 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA

NTGD3148NT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTGD3148NT1G PDF e la documentazione onsemi per NTGD3148NT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
Schede tecniche
NTGD3148N.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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