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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTF2955PT1G
NTF2955PT1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTF2955PT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTF2955PT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTF2955PT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
NTF2955(P)T1.pdf
In magazzino: 5200

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTF2955PT1G
Specifiche tecniche onsemi - NTF2955PT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTF2955PT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 (TO-261)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 185mOhm @ 2.4A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 492 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14.3 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Ta)  
Numero di prodotto di base NTF295  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTF2955PT1G

Proprietà del prodotto NTF2955PT1G NTF3055L175T1G NTF3055-100T1G NTF3055-100T3G
Modello di prodotti NTF2955PT1G NTF3055L175T1G NTF3055-100T1G NTF3055-100T3G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±15V ±20V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 492 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V 455 pF @ 25 V 455 pF @ 25 V
Serie - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 (TO-261) SOT-223 (TO-261) SOT-223 (TO-261) SOT-223 (TO-261)
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14.3 nC @ 10 V 10 nC @ 5 V 22 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 185mOhm @ 2.4A, 10V 175mOhm @ 1A, 5V 110mOhm @ 1.5A, 10V 110mOhm @ 1.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numero di prodotto di base NTF295 NTF305 NTF3055 NTF305
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Ta) 2A (Ta) 3A (Ta) 3A (Ta)
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

NTF2955PT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTF2955PT1G PDF e la documentazione onsemi per NTF2955PT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 08/Apr/2011.pdf
Schede tecniche
NTF2955(P)T1.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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