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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTD78N03T4G
NTD78N03T4G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTD78N03T4G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTD78N03T4G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTD78N03T4G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
NTD78N03.pdf
In magazzino: 4850

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTD78N03T4G
Specifiche tecniche onsemi - NTD78N03T4G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTD78N03T4G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 78A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.4W (Ta), 64W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 12 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 25 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11.4A (Ta), 78A (Tc)  
Numero di prodotto di base NTD78  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTD78N03T4G

Proprietà del prodotto NTD78N03T4G NTD80N02-1G NTD78N03RG NTD80N02T4G
Modello di prodotti NTD78N03T4G NTD80N02-1G NTD78N03RG NTD80N02T4G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Serie - - * -
Tensione drain-source (Vdss) 25 V 24 V - 24 V
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole - Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 6mOhm @ 78A, 10V 5.8mOhm @ 80A, 10V - 5.8mOhm @ 80A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 12 V 2600 pF @ 20 V - 2600 pF @ 20 V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dissipazione di potenza (max) 1.4W (Ta), 64W (Tc) 75W (Tc) - 75W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK I-PAK - DPAK
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA - 3V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11.4A (Ta), 78A (Tc) 80A (Tc) - 80A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V 42 nC @ 4.5 V - 42 nC @ 4.5 V
Tipo FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Numero di prodotto di base NTD78 NTD80 - NTD80

NTD78N03T4G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTD78N03T4G PDF e la documentazione onsemi per NTD78N03T4G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 14/Apr/2010.pdf
Schede tecniche
NTD78N03.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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