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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTD6416AN-1G
NTD6416AN-1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTD6416AN-1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTD6416AN-1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTD6416AN-1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
NTD6416AN.pdf
In magazzino: 4380

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NTD6416AN-1G
Specifiche tecniche onsemi - NTD6416AN-1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTD6416AN-1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 81mOhm @ 17A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)  
Numero di prodotto di base NTD64  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTD6416AN-1G

Proprietà del prodotto NTD6416AN-1G NTD6416ANT4G NTD6414AN-1G NTD65N03RT4G
Modello di prodotti NTD6416AN-1G NTD6416ANT4G NTD6414AN-1G NTD65N03RT4G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 16 nC @ 5 V
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 25 V
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Serie - - - -
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 81mOhm @ 17A, 10V 81mOhm @ 17A, 10V 37mOhm @ 32A, 10V 8.4mOhm @ 30A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) 17A (Tc) 32A (Tc) 9.5A (Ta), 32A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK DPAK I-PAK DPAK
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numero di prodotto di base NTD64 NTD6416 NTD64 NTD65
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V 620 pF @ 25 V 1450 pF @ 25 V 1400 pF @ 20 V
Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc) 71W (Tc) 100W (Tc) 1.3W (Ta), 50W (Tc)

NTD6416AN-1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTD6416AN-1G PDF e la documentazione onsemi per NTD6416AN-1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 05/Apr/2014.pdf
Schede tecniche
NTD6416AN.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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