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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTD5414NT4G
NTD5414NT4G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTD5414NT4G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTD5414NT4G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTD5414NT4G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
NTD5414N.pdf
In magazzino: 4670

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTD5414NT4G
Specifiche tecniche onsemi - NTD5414NT4G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTD5414NT4G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 37mOhm @ 24A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 55W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta)  
Numero di prodotto di base NTD54  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTD5414NT4G

Proprietà del prodotto NTD5414NT4G NTD5413NT4G NTD5804NT4G NTD5802NT4G
Modello di prodotti NTD5414NT4G NTD5413NT4G NTD5804NT4G NTD5802NT4G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base NTD54 NTD54 NTD58 NTD5802
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 5V, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK DPAK DPAK
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 40 V 40 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 37mOhm @ 24A, 10V 26mOhm @ 20A, 10V 8.5mOhm @ 30A, 10V 4.4mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Ta) 30A (Ta) 69A (Tc) 16.4A (Ta), 101A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V 1725 pF @ 25 V 2850 pF @ 25 V 5025 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dissipazione di potenza (max) 55W (Tc) 68W (Tc) 71W (Tc) 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -

NTD5414NT4G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTD5414NT4G PDF e la documentazione onsemi per NTD5414NT4G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
NTD5414N.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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