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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTD5406NG
NTD5406NG Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTD5406NG - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTD5406NG
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTD5406NG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 40V 12.2A/70A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
NTD5406N, STD5406N.pdf
In magazzino: 4180

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTD5406NG
Specifiche tecniche onsemi - NTD5406NG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTD5406NG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 100W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 32 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 40 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12.2A (Ta), 70A (Tc)  
Numero di prodotto di base NTD54  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTD5406NG

Proprietà del prodotto NTD5406NG NTD5413NT4G NTD5407NT4G NTD50N03RT4G
Modello di prodotti NTD5406NG NTD5413NT4G NTD5407NT4G NTD50N03RT4G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 30A, 10V 26mOhm @ 20A, 10V 26mOhm @ 20A, 10V 12mOhm @ 30A, 11.5V
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA 4V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2V @ 250µA
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK DPAK DPAK
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12.2A (Ta), 70A (Tc) 30A (Ta) 7.6A (Ta), 38A (Tc) 7.8A (Ta), 45A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 15 nC @ 11.5 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 5V, 10V 4.5V, 11.5V
Numero di prodotto di base NTD54 NTD54 NTD54 NTD50
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 100W (Tc) 68W (Tc) 2.9W (Ta), 75W (Tc) 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 32 V 1725 pF @ 25 V 1000 pF @ 32 V 750 pF @ 12 V
Tensione drain-source (Vdss) 40 V 60 V 40 V 25 V

NTD5406NG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTD5406NG PDF e la documentazione onsemi per NTD5406NG - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 21/Jan/2010.pdf
Schede tecniche
NTD5406N, STD5406N.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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