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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTD4965N-1G
NTD4965N-1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTD4965N-1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTD4965N-1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTD4965N-1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 68A IPAK-4
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
NTD4965N.pdf
In magazzino: 5450

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTD4965N-1G
Specifiche tecniche onsemi - NTD4965N-1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTD4965N-1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.7mOhm @ 30A, 10V  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.2 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta), 68A (Tc)  
Numero di prodotto di base NTD49  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTD4965N-1G

Proprietà del prodotto NTD4965N-1G NTD4965NT4G NTD4965N-35G NTD4963NT4G
Modello di prodotti NTD4965N-1G NTD4965NT4G NTD4965N-35G NTD4963NT4G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A (Ta), 68A (Tc) 13A (Ta), 68A (Tc) 13A (Ta), 68A (Tc) 8.1A (Ta), 44A (Tc)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Serie - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 15 V 1710 pF @ 15 V 1710 pF @ 15 V 1035 pF @ 12 V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK DPAK-3 I-Pak DPAK
Numero di prodotto di base NTD49 NTD4965 NTD49 NTD49
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 4.7mOhm @ 30A, 10V 4.7mOhm @ 30A, 10V 4.7mOhm @ 30A, 10V 9.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.2 nC @ 4.5 V 17.2 nC @ 4.5 V 17.2 nC @ 4.5 V 16.2 nC @ 10 V

NTD4965N-1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTD4965N-1G PDF e la documentazione onsemi per NTD4965N-1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 23/Jul/2013.pdf
Schede tecniche
NTD4965N.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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