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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTD4815N-1G
NTD4815N-1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTD4815N-1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTD4815N-1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTD4815N-1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
NTD4815N.pdf
In magazzino: 3680

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NTD4815N-1G
Specifiche tecniche onsemi - NTD4815N-1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTD4815N-1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 12 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.6 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.9A (Ta), 35A (Tc)  
Numero di prodotto di base NTD48  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTD4815N-1G

Proprietà del prodotto NTD4815N-1G NTD4813N-35G NTD4813NHT4G NTD4813NT4G
Modello di prodotti NTD4815N-1G NTD4813N-35G NTD4813NHT4G NTD4813NT4G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Dissipazione di potenza (max) 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base NTD48 NTD48 NTD4813 NTD48
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 30A, 10V 13mOhm @ 30A, 10V 13mOhm @ 30A, 10V 13mOhm @ 30A, 10V
Serie - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.6 nC @ 4.5 V 7.9 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V 7.9 nC @ 4.5 V
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.9A (Ta), 35A (Tc) 7.6A (Ta), 40A (Tc) 7.6A (Ta), 40A (Tc) 7.6A (Ta), 40A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 12 V 860 pF @ 12 V 940 pF @ 12 V 860 pF @ 12 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK I-Pak DPAK DPAK
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTD4815N-1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTD4815N-1G PDF e la documentazione onsemi per NTD4815N-1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 21/Jan/2010.pdf
Schede tecniche
NTD4815N.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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