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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTD4805N-1G
NTD4805N-1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTD4805N-1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTD4805N-1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTD4805N-1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
NTD4805N, NVD4805N.pdf
In magazzino: 4640

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NTD4805N-1G
Specifiche tecniche onsemi - NTD4805N-1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTD4805N-1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.41W (Ta), 79W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2865 pF @ 12 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 11.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12.7A (Ta), 95A (Tc)  
Numero di prodotto di base NTD48  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTD4805N-1G

Proprietà del prodotto NTD4805N-1G NTD4804N-35G NTD4804NT4G NTD4806N-35G
Modello di prodotti NTD4805N-1G NTD4804N-35G NTD4804NT4G NTD4806N-35G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Dissipazione di potenza (max) 1.41W (Ta), 79W (Tc) 1.43W (Ta), 107W (Tc) 1.43W (Ta), 107W (Tc) 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Stub Leads, IPak
Serie - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12.7A (Ta), 95A (Tc) 14.5A (Ta), 124A (Tc) 14.5A (Ta), 124A (Tc) 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK I-Pak DPAK I-Pak
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 11.5 V 40 nC @ 4.5 V 40 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 5mOhm @ 30A, 10V 4mOhm @ 30A, 10V 4mOhm @ 30A, 10V 6mOhm @ 30A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2865 pF @ 12 V 4490 pF @ 12 V 4490 pF @ 12 V 2142 pF @ 12 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numero di prodotto di base NTD48 NTD48 NTD4804 NTD48
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V 4.5V, 11.5V

NTD4805N-1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTD4805N-1G PDF e la documentazione onsemi per NTD4805N-1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 27/Jun/2014.pdf
Schede tecniche
NTD4805N, NVD4805N.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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