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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTD3055L170G
NTD3055L170G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTD3055L170G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTD3055L170G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTD3055L170G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
NTD3055L170.pdf
In magazzino: 5230

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NTD3055L170G
Specifiche tecniche onsemi - NTD3055L170G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTD3055L170G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 170mOhm @ 4.5A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 275 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)  
Numero di prodotto di base NTD30  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTD3055L170G

Proprietà del prodotto NTD3055L170G NTD3055L104 NTD3055L170-001 NTD3055L170
Modello di prodotti NTD3055L170G NTD3055L104 NTD3055L170-001 NTD3055L170
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±15V ±15V ±15V ±15V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V 5V 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 275 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V 275 pF @ 25 V 275 pF @ 25 V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Serie - - - -
Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) 1.5W (Ta), 48W (Tj) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Numero di prodotto di base NTD30 NTD30 NTD30 NTD30
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK I-PAK DPAK
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V 10 nC @ 5 V 10 nC @ 5 V
Rds On (max) a Id, Vgs 170mOhm @ 4.5A, 5V 104mOhm @ 6A, 5V 170mOhm @ 4.5A, 5V 170mOhm @ 4.5A, 5V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta) 12A (Ta) 9A (Ta) 9A (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube

NTD3055L170G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTD3055L170G PDF e la documentazione onsemi per NTD3055L170G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 21/Jan/2010.pdf
Schede tecniche
NTD3055L170.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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