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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTD18N06LT4G
NTD18N06LT4G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTD18N06LT4G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTD18N06LT4G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTD18N06LT4G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
NTD18N06L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 80040

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NTD18N06LT4G
Specifiche tecniche onsemi - NTD18N06LT4G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTD18N06LT4G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 65mOhm @ 9A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 55W (Tj)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 675 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta)  
Numero di prodotto di base NTD18  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTD18N06LT4G

Proprietà del prodotto NTD18N06LT4G NTD20N03L27 NTD18N06T4G NTD20N03L27-1G
Modello di prodotti NTD18N06LT4G NTD20N03L27 NTD18N06T4G NTD20N03L27-1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Ta) 20A (Ta) 18A (Ta) 20A (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK DPAK I-PAK
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V 4V, 5V 10V 4V, 5V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 30 V 60 V 30 V
Numero di prodotto di base NTD18 NTD20 NTD18 NTD20
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 675 pF @ 25 V 1260 pF @ 25 V 710 pF @ 25 V 1260 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±15V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Serie - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 55W (Tj) 1.75W (Ta), 74W (Tc) 2.1W (Ta), 55W (Tj) 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Rds On (max) a Id, Vgs 65mOhm @ 9A, 5V 27mOhm @ 10A, 5V 60mOhm @ 9A, 10V 27mOhm @ 10A, 5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V 18.9 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 18.9 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

NTD18N06LT4G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTD18N06LT4G PDF e la documentazione onsemi per NTD18N06LT4G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev 18/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
NTD18N06L.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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