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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNTB18N06LT4G
NTB18N06LT4G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NTB18N06LT4G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NTB18N06LT4G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NTB18N06LT4G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
NTB,NTP18N06L.pdf
In magazzino: 4380

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NTB18N06LT4G
Specifiche tecniche onsemi - NTB18N06LT4G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NTB18N06LT4G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 7.5A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 48.4W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)  
Numero di prodotto di base NTB18  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NTB18N06LT4G

Proprietà del prodotto NTB18N06LT4G NTB23N03RT4G NTB13N10 NTB13N10T4G
Modello di prodotti NTB18N06LT4G NTB23N03RT4G NTB13N10 NTB13N10T4G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipazione di potenza (max) 48.4W (Tc) 37.5W (Tj) 64.7W (Ta) 64.7W (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V 3.76 nC @ 4.5 V 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 7.5A, 5V 45mOhm @ 6A, 10V 165mOhm @ 6.5A, 10V 165mOhm @ 6.5A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore D2PAK D²PAK D2PAK D2PAK
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie - - - -
Numero di prodotto di base NTB18 NTB23 NTB13 NTB13
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V 225 pF @ 20 V 550 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc) 23A (Ta) 13A (Ta) 13A (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V 4.5V, 10V 10V 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 25 V 100 V 100 V
Caratteristica FET - - - -

NTB18N06LT4G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NTB18N06LT4G PDF e la documentazione onsemi per NTB18N06LT4G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 24/Jan/2011.pdf
Schede tecniche
NTB,NTP18N06L.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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