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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloNSVBCP69T1G
NSVBCP69T1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NSVBCP69T1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NSVBCP69T1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NSVBCP69T1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PNP 20V 1A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
BCP69T1G, NSVBCP69T1G.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 183320

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NSVBCP69T1G
Specifiche tecniche onsemi - NSVBCP69T1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NSVBCP69T1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 20 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 (TO-261)  
Serie -  
Potenza - Max 1.5 W  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 60MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 85 @ 500mA, 1V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 10µA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 1 A  
Numero di prodotto di base NSVBCP69  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NSVBCP69T1G

Proprietà del prodotto NSVBCP69T1G NSVBC858BLT1G NSVBC847BTT1G NSVBC818-40LT1G
Modello di prodotti NSVBCP69T1G NSVBC858BLT1G NSVBC847BTT1G NSVBC818-40LT1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A 650mV @ 5mA, 100mA 600mV @ 5mA, 100mA 700mV @ 50mA, 500mA
Serie - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Cutoff collettore (max) 10µA (ICBO) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Frequenza - transizione 60MHz 100MHz 100MHz 100MHz
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 20 V 30 V 45 V 25 V
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-75, SOT-416 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 1.5 W 300 mW 200 mW 225 mW
Tipo transistor PNP PNP NPN NPN
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 (TO-261) SOT-23-3 (TO-236) SC-75, SOT-416 SOT-23-3 (TO-236)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 85 @ 500mA, 1V 220 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V 250 @ 100mA, 1V
Numero di prodotto di base NSVBCP69 NSVBC858 NSVBC847 NSVBC818
Corrente - collettore (Ic) (max) 1 A 100 mA 100 mA 500 mA

NSVBCP69T1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NSVBCP69T1G PDF e la documentazione onsemi per NSVBCP69T1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
BCP69T1G, NSVBCP69T1G.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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