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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-matriciNST65010MW6T1G
NST65010MW6T1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NST65010MW6T1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NST65010MW6T1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NST65010MW6T1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
NST65010MW6.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 377420

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Quantità
OPZIONE ESPRIT
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La nostra certificazione

Specifiche

Specifiche tecnologiche NST65010MW6T1G
Specifiche tecniche onsemi - NST65010MW6T1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NST65010MW6T1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 65V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA  
Tipo transistor 2 PNP (Dual)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363  
Serie -  
Potenza - Max 380mW  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 100MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 15nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA  
Numero di prodotto di base NST65010  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NST65010MW6T1G

Proprietà del prodotto NST65010MW6T1G NST3946DXV6T5G NST847BDP6T5G NST45010MW6T1G
Modello di prodotti NST65010MW6T1G NST3946DXV6T5G NST847BDP6T5G NST45010MW6T1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 65V 40V 45V 45V
Serie - - - -
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SOT-563, SOT-666 SOT-963 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Corrente - Cutoff collettore (max) 15nA (ICBO) - 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA 200mA 100mA 100mA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363 SOT-563 SOT-963 SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequenza - transizione 100MHz 300MHz, 250MHz 100MHz 100MHz
Numero di prodotto di base NST65010 NST3946 NST847 NST45010
Potenza - Max 380mW 500mW 350mW 380mW
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA 600mV @ 5mA, 100mA 650mV @ 5mA, 100mA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo transistor 2 PNP (Dual) NPN, PNP 2 NPN (Dual) 2 PNP (Dual) Matched Pair
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V 100 @ 10mA, 1V 200 @ 2mA, 5V 220 @ 2mA, 5V

NST65010MW6T1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NST65010MW6T1G PDF e la documentazione onsemi per NST65010MW6T1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Wire Chg Coating Chg 6/Dec/2018.pdf
Schede tecniche
NST65010MW6.pdf

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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