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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-matriciNSS40302PDR2G
NSS40302PDR2G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NSS40302PDR2G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NSS40302PDR2G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NSS40302PDR2G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
NSS40302PDR2G.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 79160

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NSS40302PDR2G
Specifiche tecniche onsemi - NSS40302PDR2G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NSS40302PDR2G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 40V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A  
Tipo transistor NPN, PNP  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Potenza - Max 653mW  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 100MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 1A, 2V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 3A  
Numero di prodotto di base NSS40302  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NSS40302PDR2G

Proprietà del prodotto NSS40302PDR2G NSS40300MDR2G NSS60101DMTTBG NSS60100DMTTBG
Modello di prodotti NSS40302PDR2G NSS40300MDR2G NSS60101DMTTBG NSS60100DMTTBG
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 1A, 2V 180 @ 1A, 2V 120 @ 500mA, 2V 120 @ 500mA, 2V
Numero di prodotto di base NSS40302 NSS40300 NSS60101 NSS60100
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Serie - - - -
Potenza - Max 653mW 653mW 2.27W 2.27W
Tipo transistor NPN, PNP 2 PNP (Dual) 2 NPN (Dual) 2 PNP (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 6-WDFN (2x2) 6-WDFN (2x2)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Corrente - collettore (Ic) (max) 3A 3A 1A 1A
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 115mV @ 200mA, 2A 170mV @ 200mA, 2A 180mV @ 100mA, 1A 300mV @ 100mA, 1A
Frequenza - transizione 100MHz 100MHz 180MHz 155MHz
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 40V 40V 60V 60V

NSS40302PDR2G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NSS40302PDR2G PDF e la documentazione onsemi per NSS40302PDR2G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Change 06/Jan/2022.pdf
Schede tecniche
NSS40302PDR2G.pdf

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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