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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre -polarizzatoNSBC123JPDXV6T1G
NSBC123JPDXV6T1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NSBC123JPDXV6T1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NSBC123JPDXV6T1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NSBC123JPDXV6T1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
MUN5335DW1, NSBC123JPDxx.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 440610

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NSBC123JPDXV6T1G
Specifiche tecniche onsemi - NSBC123JPDXV6T1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NSBC123JPDXV6T1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563  
Serie -  
Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms  
Resistor - Base (R1) 2.2kOhms  
Potenza - Max 500mW  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA  
Numero di prodotto di base NSBC123  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NSBC123JPDXV6T1G

Proprietà del prodotto NSBC123JPDXV6T1G NSBC123JDXV6T5G NSBC124EDP6T5G NSBC124EPDXV6T5G
Modello di prodotti NSBC123JPDXV6T1G NSBC123JDXV6T5G NSBC124EDP6T5G NSBC124EPDXV6T5G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie - - - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V 50V 50V 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms 47kOhms 22kOhms 22kOhms
Resistor - Base (R1) 2.2kOhms 2.2kOhms 22kOhms 22kOhms
Potenza - Max 500mW 500mW 339mW 500mW
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-963 SOT-563, SOT-666
Frequenza - transizione - - - -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563 SOT-563 SOT-963 SOT-563
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 60 @ 5mA, 10V 60 @ 5mA, 10V
Numero di prodotto di base NSBC123 NSBC123 NSBC124 NSBC124
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA 500nA 500nA 500nA

NSBC123JPDXV6T1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NSBC123JPDXV6T1G PDF e la documentazione onsemi per NSBC123JPDXV6T1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev 24/Apr/2020.pdf
Packaging PCN
Carrier Tape 15/Aug/2017.pdf Mult Devices 27/Oct/2017.pdf
PCN Design/Specifica
Wire Bond 01/Dec/2010.pdf
Schede tecniche
MUN5335DW1, NSBC123JPDxx.pdf

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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