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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloNJVMJD31T4G
NJVMJD31T4G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NJVMJD31T4G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NJVMJD31T4G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NJVMJD31T4G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 40V 3A DPAK
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
MJD31 (NPN), MJD32 (PNP).pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 132050

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche NJVMJD31T4G
Specifiche tecniche onsemi - NJVMJD31T4G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NJVMJD31T4G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 40 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie -  
Potenza - Max 1.56 W  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 3MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 50µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 3 A  
Numero di prodotto di base NJVMJD31  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NJVMJD31T4G

Proprietà del prodotto NJVMJD31T4G NJVMJD243T4G NJVMJD32CG NJVMJD3055T4G
Modello di prodotti NJVMJD31T4G NJVMJD243T4G NJVMJD32CG NJVMJD3055T4G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Numero di prodotto di base NJVMJD31 NJVMJD243 NJVMJD32 NJVMJD3055
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 40 V 100 V 100 V 60 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 3 A 4 A 3 A 10 A
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK DPAK DPAK
Tipo transistor NPN NPN PNP NPN
Potenza - Max 1.56 W 1.4 W 1.56 W 1.75 W
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V 40 @ 200mA, 1V 10 @ 3A, 4V 20 @ 4A, 4V
Frequenza - transizione 3MHz 40MHz 3MHz 2MHz
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Corrente - Cutoff collettore (max) 50µA 100nA (ICBO) 50µA 50µA
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A 600mV @ 100mA, 1A 1.2V @ 375mA, 3A 8V @ 3.3A, 10A

NJVMJD31T4G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NJVMJD31T4G PDF e la documentazione onsemi per NJVMJD31T4G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
MJD31 (NPN), MJD32 (PNP).pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mold Compound 16/Aug/2018.pdf

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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