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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloNJD35N04G
NJD35N04G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NJD35N04G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NJD35N04G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NJD35N04G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
NJD35N04.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 79430

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NJD35N04G
Specifiche tecniche onsemi - NJD35N04G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NJD35N04G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 350 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1.5V @ 20mA, 2A  
Tipo transistor NPN - Darlington  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie -  
Potenza - Max 45 W  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 90MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 2000 @ 2A, 2V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 50µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 4 A  
Numero di prodotto di base NJD35  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NJD35N04G

Proprietà del prodotto NJD35N04G NJD2873T4G 2SA1036KT146R MJ10015
Modello di prodotti NJD35N04G NJD2873T4G 2SA1036KT146R MJ10015
fabbricante onsemi onsemi Rohm Semiconductor Solid State Inc.
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Frequenza - transizione 90MHz 65MHz 200MHz -
Tipo transistor NPN - Darlington NPN PNP NPN - Darlington
Corrente - collettore (Ic) (max) 4 A 2 A 500 mA 50 A
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1.5V @ 20mA, 2A 300mV @ 50mA, 1A 600mV @ 30mA, 300mA 5V @ 10A, 50A
Numero di prodotto di base NJD35 NJD2873 2SA1036 -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 350 V 50 V 32 V 400 V
Corrente - Cutoff collettore (max) 50µA 100nA (ICBO) 1µA (ICBO) 250µA
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 2000 @ 2A, 2V 120 @ 500mA, 2V 120 @ 100mA, 3V 25 @ 20A, 5V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-204AA, TO-3
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK SMT3 TO-3
Potenza - Max 45 W 1.68 W 200 mW 250 W
Serie - - - SWITCHMODE

NJD35N04G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NJD35N04G PDF e la documentazione onsemi per NJD35N04G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly /Test Change 11/Apr/2023.pdf
Schede tecniche
NJD35N04.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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