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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNIF9N05CLT1G
NIF9N05CLT1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NIF9N05CLT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NIF9N05CLT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NIF9N05CLT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
NIF9N05CL.pdf
In magazzino: 4820

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NIF9N05CLT1G
Specifiche tecniche onsemi - NIF9N05CLT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NIF9N05CLT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 (TO-261)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 125mOhm @ 2.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.69W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 35 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 59 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Ta)  
Numero di prodotto di base NIF9N05  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NIF9N05CLT1G

Proprietà del prodotto NIF9N05CLT1G SI8483DB-T2-E1 PSMN1R0-30YLC,115 FDU6296
Modello di prodotti NIF9N05CLT1G SI8483DB-T2-E1 PSMN1R0-30YLC,115 FDU6296
fabbricante onsemi Vishay Siliconix Nexperia USA Inc. Fairchild Semiconductor
Serie - TrenchFET® - PowerTrench®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Ta) 16A (Tc) 100A (Tc) 15A (Ta), 50A (Tc)
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±15V ±10V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 100µA 800mV @ 250µA 1.95V @ 1mA 3V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 59 V 12 V 30 V 30 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V 65 nC @ 10 V 103.5 nC @ 10 V 31.5 nC @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Numero di prodotto di base NIF9N05 SI8483 PSMN1R0 -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA 6-UFBGA SC-100, SOT-669 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 (TO-261) 6-Micro Foot™ (1.5x1) LFPAK56, Power-SO8 I-PAK
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 35 V 1840 pF @ 6 V 6645 pF @ 15 V 1440 pF @ 15 V
Rds On (max) a Id, Vgs 125mOhm @ 2.6A, 10V 26mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.15mOhm @ 25A, 10V 8.8mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1.69W (Ta) 2.77W (Ta), 13W (Tc) 272W (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V 1.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Caratteristica FET - - - -

NIF9N05CLT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NIF9N05CLT1G PDF e la documentazione onsemi per NIF9N05CLT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Datasheet MSL Updated 2/April/2007.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
OBS 27/Mar/2012.pdf Multiple Devices 27/Mar/2012.pdf
Schede tecniche
NIF9N05CL.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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