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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNDT456P
NDT456P Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NDT456P - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NDT456P
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NDT456P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
NDT456P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 24590

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NDT456P
Specifiche tecniche onsemi - NDT456P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NDT456P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-4  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1440 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Ta)  
Numero di prodotto di base NDT456  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NDT456P

Proprietà del prodotto NDT456P NDT453N NDT452P NDT454P
Modello di prodotti NDT456P NDT453N NDT452P NDT454P
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1440 pF @ 15 V 890 pF @ 15 V 525 pF @ 10 V 950 pF @ 15 V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.7V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base NDT456 NDT453 NDT452 NDT454
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta) 3W (Ta) - 3W (Ta)
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) - -65°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 30mOhm @ 7.5A, 10V 28mOhm @ 8A, 10V 180mOhm @ 3A, 10V 50mOhm @ 5.9A, 10V
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Ta) 8A (Ta) 3A (Ta) 5.9A (Ta)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V

NDT456P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NDT456P PDF e la documentazione onsemi per NDT456P - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Identification Change 07/Oct/2022.pdf
Schede tecniche
NDT456P.pdf
PCN Design/Specifica
Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf Marking Lay-out Implementation 17/Nov/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer Fab Site Add 24/Nov/2016.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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