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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNDT451AN
NDT451AN Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NDT451AN - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NDT451AN
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NDT451AN
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
NDT451AN.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 61930

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NDT451AN
Specifiche tecniche onsemi - NDT451AN, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NDT451AN

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-4  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 7.2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 720 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Ta)  
Numero di prodotto di base NDT451  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NDT451AN

Proprietà del prodotto NDT451AN NDT3055L NDT452AP NDT451N
Modello di prodotti NDT451AN NDT3055L NDT452AP NDT451N
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 60 V 30 V 30 V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2.8V @ 250µA 3V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta) 3W (Ta) 3W (Ta) -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Ta) 4A (Ta) 5A (Ta) 5.5A (Ta)
Numero di prodotto di base NDT451 NDT3055 NDT452 NDT451
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 7.2A, 10V 100mOhm @ 4A, 10V 65mOhm @ 5A, 10V 50mOhm @ 5.5A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 720 pF @ 15 V 345 pF @ 25 V 690 pF @ 15 V 730 pF @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel

NDT451AN Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NDT451AN PDF e la documentazione onsemi per NDT451AN - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Identification Change 07/Oct/2022.pdf
PCN Design/Specifica
Marking Lay-out Implementation 07/Oct/2022.pdf Marking Lay-out Implementation 17/Nov/2021.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 24/Dec/2021.pdf Mult Dev Retraction 14/Jan/2022.pdf
Schede tecniche
NDT451AN.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev 30/May/2023.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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