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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNDT02N60ZT1G
NDT02N60ZT1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NDT02N60ZT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NDT02N60ZT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NDT02N60ZT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
NDT02N60ZT1G.pdf
In magazzino: 4960

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NDT02N60ZT1G
Specifiche tecniche onsemi - NDT02N60ZT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NDT02N60ZT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 (TO-261)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 8Ohm @ 700mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.4 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Tc)  
Numero di prodotto di base NDT02  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NDT02N60ZT1G

Proprietà del prodotto NDT02N60ZT1G NDT3055 NDT014L NDT02N40T1G
Modello di prodotti NDT02N60ZT1G NDT3055 NDT014L NDT02N40T1G
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Numero di prodotto di base NDT02 - NDT014 NDT02
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 60 V 60 V 400 V
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipazione di potenza (max) 2W (Tc) 1.1W (Ta) 3W (Ta) 2W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 (TO-261) SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223 (TO-261)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V 250 pF @ 30 V 214 pF @ 30 V 121 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 8Ohm @ 700mA, 10V 100mOhm @ 4A, 10V 160mOhm @ 3.4A, 10V 5.5Ohm @ 220mA, 10V
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 300mA (Tc) 4A (Ta) 2.8A (Ta) 400mA (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.4 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 5 nC @ 4.5 V 5.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Caratteristica FET - - - -

NDT02N60ZT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NDT02N60ZT1G PDF e la documentazione onsemi per NDT02N60ZT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
2Q2016 Product EOL 22/Jul/2016.pdf

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Europa Germania 5
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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