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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNDS9958
NDS9958 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NDS9958 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NDS9958
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NDS9958
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 20V 3A 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
NDS9958.pdf
In magazzino: 4750

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NDS9958
Specifiche tecniche onsemi - NDS9958, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NDS9958

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 3.5A, 10V  
Potenza - Max 900mW  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 525pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base NDS995  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NDS9958

Proprietà del prodotto NDS9958 NDS9956A NDS9959 NDS9955
Modello di prodotti NDS9958 NDS9956A NDS9959 NDS9955
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 20V 30V 50V 50V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 525pF @ 10V 320pF @ 10V 250pF @ 25V 345pF @ 25V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 2.8V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 27nC @ 10V 15nC @ 10V 30nC @ 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A 3.7A (Ta) 2A 3A
Configurazione N and P-Channel 2 N-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 3.5A, 10V 80mOhm @ 2.2A, 10V 300mOhm @ 1.5A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V
Caratteristica FET Logic Level Gate Standard - Logic Level Gate
Numero di prodotto di base NDS995 - NDS995 NDS995
Potenza - Max 900mW 900mW (Ta) 900mW 900mW
Serie - - - -

NDS9958 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NDS9958 PDF e la documentazione onsemi per NDS9958 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
NDS9958.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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