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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciNDS8958
NDS8958 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NDS8958 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NDS8958
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NDS8958
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 30V 5.3A/4A 8SOIC
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
NDS8958.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 5470

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NDS8958
Specifiche tecniche onsemi - NDS8958, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NDS8958

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.8V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 5.3A, 10V  
Potenza - Max 900mW  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A, 4A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base NDS895  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NDS8958

Proprietà del prodotto NDS8958 NDS8936 NDS8947 NDS8961
Modello di prodotti NDS8958 NDS8936 NDS8947 NDS8961
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Configurazione N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 2.8V @ 250µA 2.8V @ 250µA 2.8V @ 250µA 3V @ 250µA
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Numero di prodotto di base NDS895 NDS893 NDS894 NDS896
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 5.3A, 10V 35mOhm @ 5.3A, 10V 65mOhm @ 4A, 10V 100mOhm @ 3.1A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A, 4A 5.3A 4A 3.1A
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 30nC @ 10V 30nC @ 10V 10nC @ 10V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 15V 720pF @ 15V 690pF @ 15V 190pF @ 15V
Potenza - Max 900mW 900mW 900mW 900mW

NDS8958 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NDS8958 PDF e la documentazione onsemi per NDS8958 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
NDS8958.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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