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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNDS8435A
NDS8435A Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NDS8435A - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NDS8435A
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NDS8435A
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 7.9A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
NDS8435A.pdf
In magazzino: 5490

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NDS8435A
Specifiche tecniche onsemi - NDS8435A, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NDS8435A

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 7.9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta)  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.9A (Ta)  
Numero di prodotto di base NDS843  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NDS8435A

Proprietà del prodotto NDS8435A NDS8434A NDS8434A NDS8434
Modello di prodotti NDS8435A NDS8434A NDS8434A NDS8434
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 15 V 1730 pF @ 10 V 1730 pF @ 10 V 2330 pF @ 10 V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 20 V 20 V 20 V
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 7.9A, 10V 24mOhm @ 7.9A, 4.5V 24mOhm @ 7.9A, 4.5V 35mOhm @ 6.5A, 4.5V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7.9A (Ta) 7.8A (Ta) 7.8A (Ta) 6.5A (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.7V, 4.5V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Numero di prodotto di base NDS843 NDS843 - NDS843
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±8V ±8V ±8V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 55 nC @ 4.5 V 55 nC @ 4.5 V 80 nC @ 4.5 V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Serie - - - -

NDS8435A Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NDS8435A PDF e la documentazione onsemi per NDS8435A - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
NDS8435A.pdf

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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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