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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNDS336P
NDS336P Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NDS336P - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NDS336P
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NDS336P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
NDS336P.pdf
In magazzino: 3680

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NDS336P
Specifiche tecniche onsemi - NDS336P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NDS336P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 1.3A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.2A (Ta)  
Numero di prodotto di base NDS336  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NDS336P

Proprietà del prodotto NDS336P NDS336P NDS335N NDS335N
Modello di prodotti NDS336P NDS336P NDS335N NDS335N
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 2.7V, 4.5V 2.7V, 4.5V 2.7V, 4.5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (max) a Id, Vgs 200mOhm @ 1.3A, 4.5V 200mOhm @ 1.3A, 4.5V 110mOhm @ 1.7A, 4.5V 110mOhm @ 1.7A, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Serie - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 10 V 360 pF @ 10 V 240 pF @ 10 V 240 pF @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base NDS336 - - NDS335
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±8V ±8V 8V 8V
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 4.5 V 8.5 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.2A (Ta) 1.2A (Ta) 1.7A (Ta) 1.7A (Ta)

NDS336P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NDS336P PDF e la documentazione onsemi per NDS336P - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Mold Compound 08/April/2008.pdf Mold Compound 07/Dec/2007.pdf
Schede tecniche
NDS336P.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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