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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNDS0610-G
NDS0610-G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NDS0610-G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NDS0610-G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NDS0610-G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
FET -60V 10.0 MOHM SOT23
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
NDS0610.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 343050

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NDS0610-G
Specifiche tecniche onsemi - NDS0610-G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NDS0610-G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 10Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 79 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120mA (Ta)  
Numero di prodotto di base NDS061  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NDS0610-G

Proprietà del prodotto NDS0610-G NDS0605 NDS332P NDS0605-F169
Modello di prodotti NDS0610-G NDS0605 NDS332P NDS0605-F169
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 10 V 2.5 nC @ 10 V 5 nC @ 4.5 V 2.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±8V ±20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 20 V 60 V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta) 360mW (Ta) 500mW (Ta) 360mW (Ta)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.7V, 4.5V 4.5V, 10V
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 1mA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 10Ohm @ 500mA, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 300mOhm @ 1.1A, 4.5V 5Ohm @ 500mA, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 79 pF @ 25 V 79 pF @ 25 V 195 pF @ 10 V 79 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120mA (Ta) 180mA (Ta) 1A (Ta) 180mA (Ta)
Numero di prodotto di base NDS061 NDS060 - -
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

NDS0610-G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NDS0610-G PDF e la documentazione onsemi per NDS0610-G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev 07/Jun/2023.pdf 2N7002x/BSSx/FDGx/FDVx/NDS06x 10/May/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Change 17/May/2023.pdf
Schede tecniche
NDS0610.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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