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Nord America
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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNDP7060
NDP7060 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NDP7060 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NDP7060
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NDP7060
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
NDP7060, NDB7060.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4420

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NDP7060
Specifiche tecniche onsemi - NDP7060, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NDP7060

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 13mOhm @ 40A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -65°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Numero di prodotto di base NDP706  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NDP7060

Proprietà del prodotto NDP7060 NDP7050 NDPL180N10BG NDP7060
Modello di prodotti NDP7060 NDP7050 NDPL180N10BG NDP7060
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 6950 pF @ 50 V 3600 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V, 15V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 13mOhm @ 40A, 10V 13mOhm @ 40A, 10V 3mOhm @ 15V, 50A 13mOhm @ 40A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 180A (Ta) 75A (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc) 150W (Tc) 2.1W (Ta), 200W (Tc) 150W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 1mA 4V @ 250µA
Numero di prodotto di base NDP706 NDP705 NDPL18 -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 50 V 100 V 60 V
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

NDP7060 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NDP7060 PDF e la documentazione onsemi per NDP7060 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf NDP7060, NDB7060.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 24/Dec/2021.pdf Mult Dev EOL 14/Jan/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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