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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNDD03N80Z-1G
NDD03N80Z-1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NDD03N80Z-1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NDD03N80Z-1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NDD03N80Z-1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
NDD03N80Z.pdf
In magazzino: 4900

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NDD03N80Z-1G
Specifiche tecniche onsemi - NDD03N80Z-1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NDD03N80Z-1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-Pak  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5Ohm @ 1.2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 96W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.9A (Tc)  
Numero di prodotto di base NDD03  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NDD03N80Z-1G

Proprietà del prodotto NDD03N80Z-1G NDD03N80ZT4G NDD04N50Z-1G NDD04N50ZT4G
Modello di prodotti NDD03N80Z-1G NDD03N80ZT4G NDD04N50Z-1G NDD04N50ZT4G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base NDD03 NDD03 NDD04 NDD04
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 800 V 500 V 500 V
Dissipazione di potenza (max) 96W (Tc) 96W (Tc) 61W (Tc) 61W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore I-Pak DPAK-3 I-PAK DPAK
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA
Rds On (max) a Id, Vgs 4.5Ohm @ 1.2A, 10V 4.5Ohm @ 1.2A, 10V 2.7Ohm @ 1.5A, 10V 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.9A (Tc) 2.9A (Tc) 3A (Tc) 3A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V 308 pF @ 25 V 308 pF @ 25 V

NDD03N80Z-1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NDD03N80Z-1G PDF e la documentazione onsemi per NDD03N80Z-1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices 01/Sep/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices 29/Aug/2017.pdf
Schede tecniche
NDD03N80Z.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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