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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNDBA180N10BT4H
NDBA180N10BT4H Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NDBA180N10BT4H - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NDBA180N10BT4H
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NDBA180N10BT4H
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
NDBA180N10BT4H.pdf
In magazzino: 4930

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NDBA180N10BT4H
Specifiche tecniche onsemi - NDBA180N10BT4H, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NDBA180N10BT4H

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 2.8mOhm @ 50A, 15V  
Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6950 pF @ 50 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Ta)  
Numero di prodotto di base NDBA18  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NDBA180N10BT4H

Proprietà del prodotto NDBA180N10BT4H NDB6060L NDB6060L NDB7060
Modello di prodotti NDBA180N10BT4H NDB6060L NDB6060L NDB7060
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Rds On (max) a Id, Vgs 2.8mOhm @ 50A, 15V 20mOhm @ 24A, 10V 20mOhm @ 24A, 10V 13mOhm @ 40A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V 5V, 10V 5V, 10V 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 200W (Tc) 100W (Tc) 100W (Tc) 150W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 60 nC @ 5 V 60 nC @ 5 V 115 nC @ 10 V
temperatura di esercizio 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base NDBA18 NDB6060 - NDB706
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Ta) 48A (Tc) 48A (Tc) 75A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6950 pF @ 50 V 2000 pF @ 25 V 2000 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±16V ±16V ±20V
Serie - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 60 V 60 V 60 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

NDBA180N10BT4H Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NDBA180N10BT4H PDF e la documentazione onsemi per NDBA180N10BT4H - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices 28/Apr/2017.pdf

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Europa Germania 5
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Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NDBA180N10BT4H

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