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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloNCV8440ASTT1G
NCV8440ASTT1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NCV8440ASTT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NCV8440ASTT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NCV8440ASTT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
NCV8440(A).pdf
Stato RoHS
In magazzino: 65630

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche NCV8440ASTT1G
Specifiche tecniche onsemi - NCV8440ASTT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NCV8440ASTT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.9V @ 100µA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 (TO-261)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 2.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.69W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 155 pF @ 35 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 59 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Ta)  
Numero di prodotto di base NCV8440  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NCV8440ASTT1G

Proprietà del prodotto NCV8440ASTT1G NCV8440ASTT3G NCV8440STT3G NCV8408DTRKG
Modello di prodotti NCV8440ASTT1G NCV8440ASTT3G NCV8440STT3G NCV8408DTRKG
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Ta) 2.6A (Ta) 2.6A (Ta) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 4.5 V 4.5 nC @ 4.5 V 4.5 nC @ 4.5 V -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 3.5V, 10V 3.5V, 10V 3.5V, 10V -
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 2.6A, 10V 110mOhm @ 2.6A, 10V 110mOhm @ 2.6A, 10V -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 155 pF @ 35 V 155 pF @ 35 V 155 pF @ 35 V -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 1.9V @ 100µA 1.9V @ 100µA 1.9V @ 100µA -
Serie - - - Automotive, AEC-Q100
Dissipazione di potenza (max) 1.69W (Ta) 1.69W (Ta) 1.69W (Ta) -
Numero di prodotto di base NCV8440 NCV8440 NCV8440 NCV8408
Tensione drain-source (Vdss) 59 V 59 V 59 V -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 (TO-261) SOT-223 (TO-261) SOT-223 (TO-261) DPAK
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±15V ±15V ±15V -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -

NCV8440ASTT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NCV8440ASTT1G PDF e la documentazione onsemi per NCV8440ASTT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Packaging PCN
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Cancel 21/Dec/2021.pdf
PCN Design/Specifica
NCV84yyy 08/Nov/2021.pdf
Schede tecniche
NCV8440(A).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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