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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverNCV51511PDR2G
NCV51511PDR2G Image
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NCV51511PDR2G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NCV51511PDR2G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NCV51511PDR2G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Scheda dati
NCV51511.pdf
NCV51511.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 26258

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NCV51511PDR2G
Specifiche tecniche onsemi - NCV51511PDR2G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NCV51511PDR2G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione di alimentazione - 8V ~ 16V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC-EP  
Serie Automotive, AEC-Q100  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 6ns, 4ns  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tensione logica - VIL, VIH 2V, 1.8V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 100 V  
Tipo di porta N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata High-Side or Low-Side  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 3A, 6A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous  
Numero di prodotto di base NCV51511  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NCV51511PDR2G

Proprietà del prodotto NCV51511PDR2G NCV51705MNTWG NCV5183DR2G NCV5501DT15G
Modello di prodotti NCV51511PDR2G NCV51705MNTWG NCV5183DR2G NCV5501DT15G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Synchronous Single Independent -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 3A, 6A 6A, 6A 4.3A, 4.3A -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 100 V - 600 V -
Tensione di alimentazione - 8V ~ 16V 10V ~ 22V 9V ~ 18V -
Configurazione guidata High-Side or Low-Side Low-Side Half-Bridge -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 24-VFQFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo di ingresso Non-Inverting Inverting, Non-Inverting Non-Inverting -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC-EP 24-QFNW (4x4) 8-SOIC DPAK
Frequenza di ingresso 2 1 2 -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount, Wettable Flank Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base NCV51511 NCV51705 NCV5183 NCV5501
Tipo di porta N-Channel MOSFET SiC MOSFET N-Channel MOSFET -
Tempo di salita / scadenza (Typ) 6ns, 4ns 8ns, 8ns 12ns, 12ns -
Serie Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q100
Tensione logica - VIL, VIH 2V, 1.8V 1.2V, 1.6V 1.2V, 2.5V -

NCV51511PDR2G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NCV51511PDR2G PDF e la documentazione onsemi per NCV51511PDR2G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf Material Declaration NCV51511PDR2G.pdf
Schede tecniche
NCV51511.pdf
Foglio dati HTML
NCV51511.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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