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CasaCentro di prodottiCircuiti integrati (ICS)PMIC-Gate driverNCP5181PG
NCP5181PG Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

NCP5181PG - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
NCP5181PG
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-NCP5181PG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Pacchetto
8-DIP (0.300', 7.62mm)
Scheda dati
Cylindrical Battery Holders.pdf
NCP5181.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 10820

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NCP5181PG
Specifiche tecniche onsemi - NCP5181PG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - NCP5181PG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V  
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 40ns, 20ns  
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300', 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Frequenza di ingresso 2  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.3V  
Tipo di ingresso Non-Inverting  
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V  
Tipo di porta N-Channel MOSFET  
Configurazione guidata Half-Bridge  
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 1.4A, 2.2A  
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent  
Numero di prodotto di base NCP5181  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi NCP5181PG

Proprietà del prodotto NCP5181PG NCP5183DR2G NCP51705MNTXG NCP5181DR2G
Modello di prodotti NCP5181PG NCP5183DR2G NCP51705MNTXG NCP5181DR2G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tipo di porta N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET SiC MOSFET N-Channel MOSFET
Configurazione guidata Half-Bridge Half-Bridge Low-Side Half-Bridge
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap) 600 V 600 V - 600 V
Contenitore / involucro 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 24-VFQFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Serie - - - -
Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.3V 1.2V, 2.5V 1.2V, 1.6V 0.8V, 2.3V
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base NCP5181 NCP5183 NCP51705 NCP5181
Base-Emitter Tensione di saturazione (max) Independent Independent Single Independent
Frequenza di ingresso 2 2 1 2
Tensione di alimentazione - 10V ~ 20V 9V ~ 18V 10V ~ 22V 10V ~ 20V
Tipo di ingresso Non-Inverting Non-Inverting Inverting, Non-Inverting Non-Inverting
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore) 1.4A, 2.2A 4.3A, 4.3A 6A, 6A 1.4A, 2.2A
Tempo di salita / scadenza (Typ) 40ns, 20ns 12ns, 12ns 8ns, 8ns 40ns, 20ns
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore 8-PDIP 8-SOIC 24-QFN (4x4) 8-SOIC

NCP5181PG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NCP5181PG PDF e la documentazione onsemi per NCP5181PG - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf onsemi REACH.pdf Material Declaration NCP5181PG.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Cylindrical Battery Holders.pdf
Schede tecniche
Cylindrical Battery Holders.pdf
Foglio dati HTML
NCP5181.pdf
Assemblaggio/origine PCN
PDIP-8 Assembly Revised 03/Sep/2013.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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