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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre -polarizzatoMUN5214DW1T1G
MUN5214DW1T1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

MUN5214DW1T1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MUN5214DW1T1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MUN5214DW1T1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Pacchetto
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati
MUN5214DW1, NSBC114YDxx.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 1003100

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche MUN5214DW1T1G
Specifiche tecniche onsemi - MUN5214DW1T1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MUN5214DW1T1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363  
Serie -  
Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms  
Resistor - Base (R1) 10kOhms  
Potenza - Max 250mW  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA  
Numero di prodotto di base MUN5214  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MUN5214DW1T1G

Proprietà del prodotto MUN5214DW1T1G MUN5215DW1T1 MUN5216DW1T1 MUN5212DW1T1G
Modello di prodotti MUN5214DW1T1G MUN5215DW1T1 MUN5216DW1T1 MUN5212DW1T1G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363 - SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequenza - transizione - - - -
Potenza - Max 250mW - 250mW 250mW
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA - 250mV @ 1mA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V - 160 @ 5mA, 10V 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms - - 22kOhms
Resistor - Base (R1) 10kOhms - 4.7kOhms 22kOhms
Serie - - - -
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA - 500nA 500nA
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V - 50V 50V
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA - 100mA 100mA
Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) - 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base MUN5214 MUN52 MUN52 MUN5212

MUN5214DW1T1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MUN5214DW1T1G PDF e la documentazione onsemi per MUN5214DW1T1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Copper Wire 08/Jun/2009.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly 30/Jul/2020.pdf
Schede tecniche
MUN5214DW1, NSBC114YDxx.pdf

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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