Specifiche
Specifiche tecnologiche MUN5132T1
Specifiche tecniche onsemi - MUN5132T1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MUN5132T1
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| fabbricante |
onsemi |
|
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max) |
50 V |
|
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic |
250mV @ 1mA, 10mA |
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| Tipo transistor |
PNP - Pre-Biased |
|
| Contenitore dispositivo fornitore |
SC-70-3 (SOT323) |
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| Serie |
- |
|
| Resistor - Emitter Base (R2) |
4.7 kOhms |
|
| Resistor - Base (R1) |
4.7 kOhms |
|
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
| |
| Potenza - Max |
310 mW |
|
| Contenitore / involucro |
SC-70, SOT-323 |
|
| Pacchetto |
Bulk |
|
| Tipo montaggio |
Surface Mount |
|
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce |
15 @ 5mA, 10V |
|
| Corrente - Cutoff collettore (max) |
500nA |
|
| Corrente - collettore (Ic) (max) |
100 mA |
|
| Numero di prodotto di base |
MUN5132 |
|
Metodo di spedizione
Tempi di consegna
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
- La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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MUN5135DW1T1onsemiTRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
MUN5131DW1T1GRochester Electronics, LLCMUN5131 - DIGITAL BJT 2 PNP PRE-
MUN5130DW1T1AMI Semiconductor/onsemi