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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloMTP2P50E
MTP2P50E Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MTP2P50E - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MTP2P50E
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MTP2P50E
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 500V 2A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
MTP2P50E.pdf
In magazzino: 4940

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Specifiche

Specifiche tecnologiche MTP2P50E
Specifiche tecniche onsemi - MTP2P50E, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MTP2P50E

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 6Ohm @ 1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1183 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)  
Numero di prodotto di base MTP2P  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MTP2P50E

Proprietà del prodotto MTP2P50E MTP3055V MTP2955V MTP3055VL
Modello di prodotti MTP2P50E MTP3055V MTP2955V MTP3055VL
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1183 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V 770 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-220 TO-220-3
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc) 48W (Tc) 60W (Tc) 48W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Serie - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 60 V 60 V 60 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±15V ±15V
Rds On (max) a Id, Vgs 6Ohm @ 1A, 10V 150mOhm @ 6A, 10V 230mOhm @ 6A, 10V 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 10 nC @ 5 V
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base MTP2P MTP30 MTP29 MTP3055
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

MTP2P50E Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MTP2P50E PDF e la documentazione onsemi per MTP2P50E - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 03/Jan/2008.pdf
Schede tecniche
MTP2P50E.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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