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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloMTP23P06V
MTP23P06V Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MTP23P06V - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MTP23P06V
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MTP23P06V
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 23A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
MTP23P06V.pdf
In magazzino: 4390

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MTP23P06V
Specifiche tecniche onsemi - MTP23P06V, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MTP23P06V

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 11.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)  
Numero di prodotto di base MTP23  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MTP23P06V

Proprietà del prodotto MTP23P06V MTP23P06VG MTP2317N3 MTP2311N3
Modello di prodotti MTP23P06V MTP23P06VG MTP2317N3 MTP2311N3
fabbricante onsemi onsemi CYSTEK CYSTEK
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V - -
Vgs (Max) ±15V ±15V - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 - -
Numero di prodotto di base MTP23 MTP23 - -
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc) 23A (Tc) - -
Tipo FET P-Channel P-Channel - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V - -
Pacchetto Tube Tube - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA - -
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - -
Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc) 90W (Tc) - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 25 V 1620 pF @ 25 V - -
Rds On (max) a Id, Vgs 120mOhm @ 11.5A, 10V 120mOhm @ 11.5A, 10V - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole - -
Serie - - - -

MTP23P06V Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MTP23P06V PDF e la documentazione onsemi per MTP23P06V - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 03/Jan/2008.pdf
Schede tecniche
MTP23P06V.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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