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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloMTD6N20ET4G
MTD6N20ET4G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MTD6N20ET4G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MTD6N20ET4G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MTD6N20ET4G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
MTD6N20E.pdf
In magazzino: 5390

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MTD6N20ET4G
Specifiche tecniche onsemi - MTD6N20ET4G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MTD6N20ET4G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 700mOhm @ 3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.75W (Ta), 50W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)  
Numero di prodotto di base MTD6N  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MTD6N20ET4G

Proprietà del prodotto MTD6N20ET4G MTD6N15T4G MTD6N20ET4 MTD6P10ET4
Modello di prodotti MTD6N20ET4G MTD6N15T4G MTD6N20ET4 MTD6P10ET4
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Rds On (max) a Id, Vgs 700mOhm @ 3A, 10V 300mOhm @ 3A, 10V 700mOhm @ 3A, 10V -
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4.5V @ 1mA 4V @ 250µA -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Serie - - - *
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK DPAK -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) 6A (Tc) 6A (Tc) -
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 150 V 200 V -
Numero di prodotto di base MTD6N MTD6N MTD6N MTD6P
Dissipazione di potenza (max) 1.75W (Ta), 50W (Tc) 1.25W (Ta), 20W (Tc) - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) - -

MTD6N20ET4G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MTD6N20ET4G PDF e la documentazione onsemi per MTD6N20ET4G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 17/Apr/2015.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Qualification Assembly Test Site 20/Feb/2014.pdf
Schede tecniche
MTD6N20E.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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