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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloMTD5P06VT4
MTD5P06VT4 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MTD5P06VT4 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MTD5P06VT4
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MTD5P06VT4
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
MTD5P06V.pdf
In magazzino: 5470

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MTD5P06VT4
Specifiche tecniche onsemi - MTD5P06VT4, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MTD5P06VT4

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 450mOhm @ 2.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 40W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc)  
Numero di prodotto di base MTD5P  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MTD5P06VT4

Proprietà del prodotto MTD5P06VT4 MTD5P06VT4G MTD55N10J3 MTD55N10Q8
Modello di prodotti MTD5P06VT4 MTD5P06VT4G MTD55N10J3 MTD55N10Q8
fabbricante onsemi onsemi HAMOS HAMOS
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V - -
Vgs (Max) ±15V ±15V - -
Serie - - - -
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta), 40W (Tc) 2.1W (Ta), 40W (Tc) - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc) 5A (Tc) - -
Numero di prodotto di base MTD5P MTD5P - -
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA - -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - -
Tipo FET P-Channel P-Channel - -
Rds On (max) a Id, Vgs 450mOhm @ 2.5A, 10V 450mOhm @ 2.5A, 10V - -
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - -

MTD5P06VT4 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MTD5P06VT4 PDF e la documentazione onsemi per MTD5P06VT4 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 11/Feb/2009.pdf
Schede tecniche
MTD5P06V.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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