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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloMTD10N10ELT4
MTD10N10ELT4 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MTD10N10ELT4 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MTD10N10ELT4
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MTD10N10ELT4
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
MTD10N10EL.pdf
In magazzino: 3830

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MTD10N10ELT4
Specifiche tecniche onsemi - MTD10N10ELT4, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MTD10N10ELT4

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 220mOhm @ 5A, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.75W (Ta), 40W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1040 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)  
Numero di prodotto di base MTD10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MTD10N10ELT4

Proprietà del prodotto MTD10N10ELT4 MTD10N10ELT4G MTD12N06EZL MTD10N05ET4
Modello di prodotti MTD10N10ELT4 MTD10N10ELT4G MTD12N06EZL MTD10N05ET4
fabbricante onsemi onsemi onsemi AMI Semiconductor/onsemi
Vgs (Max) ±15V - - -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 5 V - - -
Dissipazione di potenza (max) 1.75W (Ta), 40W (Tc) - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Tc) - - -
Tipo FET N-Channel - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1040 pF @ 25 V - - -
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA - - -
Contenitore dispositivo fornitore DPAK - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 220mOhm @ 5A, 5V - - -
Numero di prodotto di base MTD10 MTD10 - -
Serie - * * -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - Bulk -
Tensione drain-source (Vdss) 100 V - - -
Caratteristica FET - - - -

MTD10N10ELT4 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MTD10N10ELT4 PDF e la documentazione onsemi per MTD10N10ELT4 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 01/Jul/2005.pdf
Schede tecniche
MTD10N10EL.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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