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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloMTB75N05HDT4
MTB75N05HDT4 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MTB75N05HDT4 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MTB75N05HDT4
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MTB75N05HDT4
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
MTB75N05HD.pdf
In magazzino: 4350

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MTB75N05HDT4
Specifiche tecniche onsemi - MTB75N05HDT4, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MTB75N05HDT4

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 9.5mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 125W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 50 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Numero di prodotto di base MTB75  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MTB75N05HDT4

Proprietà del prodotto MTB75N05HDT4 MTB6N60E1 MTB6N60E MTB75N06HD
Modello di prodotti MTB75N05HDT4 MTB6N60E1 MTB6N60E MTB75N06HD
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA - - -
Numero di prodotto di base MTB75 - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 9.5mOhm @ 20A, 10V - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 25 V - - -
Serie - * * *
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V - - -
Tipo FET N-Channel - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 50 V - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 125W (Tc) - - -

MTB75N05HDT4 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MTB75N05HDT4 PDF e la documentazione onsemi per MTB75N05HDT4 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 01/Apr/2004.pdf
Schede tecniche
MTB75N05HD.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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