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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloMSD601-RT1G
MSD601-RT1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MSD601-RT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MSD601-RT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MSD601-RT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
MSD601-RT1, ST1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 875200

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MSD601-RT1G
Specifiche tecniche onsemi - MSD601-RT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MSD601-RT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore SC-59  
Serie -  
Potenza - Max 200 mW  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 210 @ 2mA, 10V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA  
Numero di prodotto di base MSD601  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MSD601-RT1G

Proprietà del prodotto MSD601-RT1G MSD602-RT1G MSD601-RT1 MSD601-RT2
Modello di prodotti MSD601-RT1G MSD602-RT1G MSD601-RT1 MSD601-RT2
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V 50 V 50 V -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA 600mV @ 30mA, 300mA 500mV @ 10mA, 100mA -
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA 500 mA 100 mA -
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA 100nA (ICBO) 100nA -
Serie - - - *
Potenza - Max 200 mW 200 mW 200 mW -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Contenitore dispositivo fornitore SC-59 SC-59 SC-59 -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 210 @ 2mA, 10V 120 @ 150mA, 10V 210 @ 2mA, 10V -
Frequenza - transizione - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Numero di prodotto di base MSD601 MSD602 MSD60 -
temperatura di esercizio - 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Tipo transistor NPN NPN NPN -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

MSD601-RT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MSD601-RT1G PDF e la documentazione onsemi per MSD601-RT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Copper Wire 29/Oct/2009.pdf
Schede tecniche
MSD601-RT1, ST1.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev A/T Chgs 5/Nov/2021.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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