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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloMPSW06G
MPSW06G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MPSW06G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MPSW06G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MPSW06G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 80V 0.5A TO92
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Scheda dati
MPSW05,06.pdf
In magazzino: 4440

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MPSW06G
Specifiche tecniche onsemi - MPSW06G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MPSW06G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 400mV @ 10mA, 250mA  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-92 (TO-226)  
Serie -  
Potenza - Max 1 W  
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 Long Body  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 50MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 250mA, 1V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA  
Numero di prodotto di base MPSW06  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MPSW06G

Proprietà del prodotto MPSW06G MPSW13RLRA MPSW06RLRA MPSW06RLRAG
Modello di prodotti MPSW06G MPSW13RLRA MPSW06RLRA MPSW06RLRAG
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole - Through Hole
Contenitore dispositivo fornitore TO-92 (TO-226) TO-92 (TO-226) - TO-92 (TO-226)
Numero di prodotto di base MPSW06 MPSW13 MPSW06 MPSW06
Potenza - Max 1 W 1 W - 1 W
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 250mA, 1V 10000 @ 100mA, 5V - 60 @ 250mA, 1V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 400mV @ 10mA, 250mA 1.5V @ 100µA, 100mA - 400mV @ 10mA, 250mA
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 Long Body TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) - TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Frequenza - transizione 50MHz 125MHz - 50MHz
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80 V 30 V - 80 V
Tipo transistor NPN NPN - Darlington - NPN
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA 100nA (ICBO) - 500nA
Serie - - * -
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA 1 A - 500 mA

MPSW06G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MPSW06G PDF e la documentazione onsemi per MPSW06G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 08/Nov/2014.pdf Multiple Devices Revision 26/Nov/2014.pdf
Schede tecniche
MPSW05,06.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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