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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-RFMPSH10G
MPSH10G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MPSH10G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MPSH10G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MPSH10G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Scheda dati
MPSH10.pdf
In magazzino: 4080

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MPSH10G
Specifiche tecniche onsemi - MPSH10G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MPSH10G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 25V  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-92 (TO-226)  
Serie -  
Potenza - Max 350mW  
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 Long Body  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Di rumore (dB tip @ f) -  
Tipo montaggio Through Hole  
Guadagno -  
Frequenza - transizione 650MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V  
Corrente - collettore (Ic) (max) -  
Numero di prodotto di base MPSH10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MPSH10G

Proprietà del prodotto MPSH10G MPSH81 MPSH10 MPSH17
Modello di prodotti MPSH10G MPSH81 MPSH10 MPSH17
fabbricante onsemi Central Semiconductor Corp NTE Electronics, Inc Fairchild Semiconductor
Numero di prodotto di base MPSH10 - - MPSH17
Potenza - Max 350mW 350mW 350mW 350mW
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - collettore (Ic) (max) - 50mA - -
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-92 (TO-226) TO-92 - TO-92-3
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 Long Body TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) - TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 25V 20V 25V 15V
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V 60 @ 5mA, 10V 60 @ 4mA, 10V 25 @ 5mA, 10V
Guadagno - - - 24dB
Tipo transistor NPN PNP NPN NPN
Frequenza - transizione 650MHz 600MHz 650MHz 800MHz
Di rumore (dB tip @ f) - - - 6dB @ 200MHz
Pacchetto Bulk Bulk Bag Bulk

MPSH10G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MPSH10G PDF e la documentazione onsemi per MPSH10G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 08/Nov/2014.pdf Multiple Devices Revision 26/Nov/2014.pdf
Schede tecniche
MPSH10.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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