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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloMMFT5P03HDT1
MMFT5P03HDT1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MMFT5P03HDT1 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MMFT5P03HDT1
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MMFT5P03HDT1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
MMFT5P03HD.pdf
In magazzino: 4750

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MMFT5P03HDT1
Specifiche tecniche onsemi - MMFT5P03HDT1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MMFT5P03HDT1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 (TO-261)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 5.2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.56W (Ta)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A (Ta)  
Numero di prodotto di base MMFT5P  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MMFT5P03HDT1

Proprietà del prodotto MMFT5P03HDT1 MMFT3055VL MMFT3055VT1G MMFT4P03HD
Modello di prodotti MMFT5P03HDT1 MMFT3055VL MMFT3055VT1G MMFT4P03HD
fabbricante onsemi AMI Semiconductor/onsemi AMI Semiconductor/onsemi MOTOROLA
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 5.2A, 10V - - -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 25 V - - -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A (Ta) - - -
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223 (TO-261) - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) - - -
Dissipazione di potenza (max) 1.56W (Ta) - - -
Numero di prodotto di base MMFT5P - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V - - -
Tipo FET P-Channel - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - - -

MMFT5P03HDT1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MMFT5P03HDT1 PDF e la documentazione onsemi per MMFT5P03HDT1 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 30/Jun/2004.pdf
Schede tecniche
MMFT5P03HD.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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