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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciMMDF2N02ER2
MMDF2N02ER2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MMDF2N02ER2 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MMDF2N02ER2
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MMDF2N02ER2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
MMDF2N02E.pdf
In magazzino: 4990

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MMDF2N02ER2
Specifiche tecniche onsemi - MMDF2N02ER2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MMDF2N02ER2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 532pF @ 16V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 25V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base MMDF2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MMDF2N02ER2

Proprietà del prodotto MMDF2N02ER2 MMDF2C03HDR2 MMDF2C03HDR2G MMDF2P02ER2G
Modello di prodotti MMDF2N02ER2 MMDF2C03HDR2 MMDF2C03HDR2G MMDF2P02ER2G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tensione drain-source (Vdss) 25V 30V 30V 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 16nC @ 10V 16nC @ 10V 15nC @ 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A 4.1A, 3A 4.1A, 3A 2.5A
Serie - - - -
Potenza - Max 2W 2W 2W 2W
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base MMDF2 MMDF2 MMDF2 MMDF2
Rds On (max) a Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V 70mOhm @ 3A, 10V 70mOhm @ 3A, 10V 250mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Configurazione 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 532pF @ 16V 630pF @ 24V 630pF @ 24V 475pF @ 16V

MMDF2N02ER2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MMDF2N02ER2 PDF e la documentazione onsemi per MMDF2N02ER2 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 03/Jan/2008.pdf
Schede tecniche
MMDF2N02E.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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